集成电路工程领域职称分为初级、中级、高级三个层级，初级职称设员级和助理级，高级职称设副高级和正高级。各等级职称名称分别为：技术员(员级)、助理工程师(助理级)、工程师(中级)、高级工程师(副高级)、正高级工程师(正高级)。
集成电路工程领域设置集成电路设计、集成电路制造、集成电路封装和测试、集成电路装备、集成电路材料、集成电路产品和支撑六个专业方向(下称“本专业”)。
集成电路设计专业方向包括从事前端电路设计、仿真、算法、嵌入式软件、IP(Intellectual Property,指已预先设计并验证，可在集成电路设计中重复使用的功能模块)开发，后端版图设计、芯片应用方案制定、EDA(电子设计自动化)软件开发、客户应用服务支持，性能与可靠性分析等专业技术人员。
集成电路制造专业方向包括从事集成电路制造工艺研发、集成电路生产；光电器件、电子器件、显示器件、传感器以及宽禁带半导体在内的半导体器件研发、生产制造以及模组设计、制造等专业技术人员。
集成电路封装和测试专业方向包括从事集成电路、分立器件及模块、光电器件、微机电系统、系统级封装等电子零部件的软、硬件测试技术开发、系统维护、数据分析与处理；上述电子零部件产品封装技术研究、工艺实现、设备维护、失效分析及可靠性试验等专业技术人员。
集成电路装备专业方向包括从事集成电路装备研发和制造，含单晶生长设备、衬底加工设备、晶圆制造设备、集成电路制造工艺设备、封装和测试设备等；集成电路零部件研发和生产，含传输系统、真空系统、气路系统、防腐液路系统、加热与温控系统、电源系统、精密加工及超净处理、传感器及测量系统、厂务系统等；集成电路装备及零部件维护和保养，含日常维护和保养、故障处置；集成电路装备及零部件测试验证，含机械、电学性能测试及装备和零部件工艺验证等专业技术人员。
集成电路材料专业方向包括从事硅、锗等半导体材料、宽禁带半导体材料、光电晶体材料、器件沟道材料、器件栅介质材料、芯片电极材料、光刻胶和电子特种气体等电子化学品、电子封装材料、薄膜材料、高纯金属源等材料研发和生产等专业技术人员。
集成电路产品和支撑专业方向包括从事集成电路产品市场开拓、客户技术支持、信息安全、产品质量与可靠性分析、计量校准验证、体系认证、情报与咨询、行业协会服务、标准政策研究制定、技术培训等方面专业技术人员。
以上专业设置可根据科技发展和工程技术工作实际变化和需要进行合理调整。
熟悉本专业基础理论知识和专业技术知识，具有完成一般技术辅助性工作的实际能力。
符合下列条件之一：
1.具备大学本科学历或学士学位，或技工院校预备技师(技师)班毕业，从事本专业技术工作。
2.具备大学专科学历或技工院校高级工班毕业，或具备中等职业学校毕业学历或技工院校中级工班毕业，从事本专业技术工作满1年，经单位考察合格。
从事本专业技术工作期间，符合下列条件之一：
1.参加完成本专业项目的可行性研究、设计、制造、调试、测试等工作。
2.参加完成本专业项目的标准化、可靠性、产业化推广等工作。
3.参加本专业相关规程、技术规范、标准等的编写工作。
从事本专业技术工作期间，符合下列条件之一：
1.独立或作为主要作者，公开出版本专业专著或译著1部(本人撰写不少于5万字)。
2.在公开发行的本专业或相近专业期刊上发表与本专业相关的有较高水平的论文或调研报告2篇(独撰、第一作者或通讯作者),或上述论文或调研报告1篇并获得与本专业相关的发明专利或集成电路布图授权1件(第一发明人);或在省级以上学术会议发表有较高水平的与本专业相关的交流论文2篇(独撰或第一作者)。
3.完成编写或修订公开出版发行的本专业相关技术规范、规程、教材、技术手册(本人撰写不少于1万字)。
4.作为第一作者，撰写本专业的技术研究报告、成果研究报告或单位内部研究报告2篇以上，要求引用数据充分精确、结论系统全面，具有一定学术价值、参考价值或社会影响力。
不具备上述学历(学位)、资历条件，任现职期间，符合下列条件之一，可由2名本专业或相近专业正高级职称人员书面推荐破格申报：
(1)省(部)级或相当于省(部)级以上科技成果奖、优秀专利奖；或中国电子学会科技奖(以奖励证书为准，排名前5位);或中国质量提名奖(个人);或中国半导体创新产品和技术奖、中国集成电路产业技术创新奖等本专业奖项获奖项目的主要完成人(以奖励证书和申报书为准，排名前5位)。
(2)作为核心成员或子项目负责人参与国家或省(部)级的重大半导体及集成电路技术项目，解决了本专业关键技术突破、或攻克“卡脖子”难题等重大成果，财政经费支持500万元以上，且项目已经验收合格。例如国家专项、广东省重点领域研发计划等。
(3)获省级以上人才称号者或本专业省级以上人才及创新团队(排名前3位);或市(厅)级以上政府部门支持培育、引进的海外高层次人才、国家高层次人才、认定的急需紧缺人才；或获国际电气和电子工程师协会(IEEE)、国际计算机学会(ACM)、国际工程技术学会(IET)、美国物理学会(APS)等国际知名学会高级会员。
(4)在IEEE系列等本专业核心期刊或本专业核心会议发表
论文并被收录。
(5)在本专业获得授权的技术发明专利、集成电路布图等知
识产权取得较显著经济效益和社会效益。
(6)具备本专业或相近专业博士学位，且在全球知名半导体公司从事研发工作10年以上。
